Samsung, Nvidia'nın yeni nesil NVHBM bellekleri için taban kalıbı üretiminde TSMC'nin 3 nm sürecini kullanacak. Şirket, TSMC kapasitesinin yetersiz kalması durumunda kendi 2 nm sürecini de devreye almayı planlıyor.
Konunun geçmişiSamsung5 haber
01Özet
- 01Nvidia, NVHBM belleklerinde taban kalıbı için TSMC'nin 3 nm sürecini, bellek katmanlarında ise altıncı nesil DRAM teknolojisini zorunlu kıldı.
- 02Samsung, Nvidia'nın şartlarını kabul ederek üretim planını onayladı; taban kalıbı üretimi için TSMC ile çalışacak.
- 03NVHBM, standart HBM4E'ye kıyasla bellek bant genişliğini yüzde 30 artırırken güç tüketimini yüzde 15 azaltma potansiyeli taşıyor.
- 04TSMC'nin 3 nm üretim verimi yüzde 90'ın üzerindeyken Samsung Foundry'nin 2 nm sürecinde bu oran yaklaşık yüzde 60 seviyesinde.
- 05UBS tahminlerine göre 2025'te HBM talebi yüzde 91 artarak 61,5 milyar gigabite ulaşacak, arz ise yüzde 10 altında kalabilir.
02Neden önemli
Bu haber, yapay zeka sektöründeki HBM talebinin büyümesi ve Samsung ile TSMC arasındaki iş birliğinin Nvidia'nın yeni nesil bellek mimarisine etkisi nedeniyle önemli. Gelişmeler, yapay zeka hızlandırıcılarının performansını ve bellek maliyetlerini doğrudan etkileyebilir.
Pulse AIBu habere soru sor
Yanıtlar haberin özetinden yapay zekâ ile üretilir; yatırım, sağlık veya hukuk tavsiyesi değildir.
