Micron, 400'den fazla katmana sahip G11 3D NAND teknolojisini duyurdu. Yeni mimari, veri yoğunluğunu iki katına çıkarırken veri aktarım hızında yüzde 50 artış ve enerji tüketiminde yüzde 25 azalma vaat ediyor. Seri üretime 2027'nin ikinci yarısında başlanması planlanıyor.
Konunun geçmişiTanıttı3 haber
01Özet
- 01Micron G11 3D NAND, 400'den fazla katmana sahip ve G9 nesline kıyasla veri yoğunluğunu 21 Gbit/mm²'den 42 Gbit/mm²'ye çıkarıyor.
- 02Yeni teknoloji, veri aktarım hızını 3.600 MT/s'den 5.400 MT/s'ye yükselterek yüzde 50 performans artışı sağlıyor.
- 03G11, wafer-on-wafer bonding yöntemiyle üretilecek ve bit başına enerji tüketimini yüzde 25'ten fazla azaltmayı hedefliyor.
- 04Seri üretime 2027'nin ikinci yarısında başlanması planlanıyor, ayrıntılı teknik özellikler aynı dönemde açıklanacak.
- 05Yeni mimari, veri merkezleri ve yapay zekâ sistemlerinin yanı sıra kurumsal depolama çözümlerinde de kullanılacak.
02Neden önemli
Bu teknoloji, veri merkezlerinde enerji maliyetlerini düşürürken yapay zekâ gibi yüksek bant genişliği gerektiren uygulamaların performansını artırabilir. Tüketici SSD'lerinde de kapasite ve hızın önemli ölçüde yükselmesi bekleniyor.
Pulse AIBu habere soru sor
Yanıtlar haberin özetinden yapay zekâ ile üretilir; yatırım, sağlık veya hukuk tavsiyesi değildir.
