Micron, 2027'nin ikinci yarısında seri üretime geçmeyi planladığı G11 nesli 3D NAND belleklerde katman sayısını 400'ün üzerine çıkararak bit yoğunluğunu iki katına, veri aktarım hızını yüzde 50'ye kadar artırmayı ve enerji tüketimini yüzde 25'ten fazla azaltmayı hedefliyor.
01Özet
- 01G11 NAND bellekler, G9 nesline kıyasla bit yoğunluğunu milimetrekare başına yaklaşık 42 Gbit seviyesine çıkararak iki katına çıkaracak.
- 02Veri aktarım hızı (I/O) 3.600 MT/s'den 5.400 MT/s'ye yükseltilerek yüzde 50 artırılacak.
- 03Bit başına enerji tüketiminde yüzde 25'ten fazla azalma hedefleniyor; bu özellikle yapay zeka altyapıları ve veri merkezleri için önem taşıyor.
- 04Yeni teknolojide wafer-on-wafer bonding yöntemi kullanılarak bellek hücre katmanları ile çevresel devreler ayrı plakalarda üretilip birleştirilecek.
- 05Seri üretimin 2027'nin ikinci yarısında başlaması planlanıyor; tüketici SSD fiyatlarına etkisi henüz net değil.
02Neden önemli
Bu gelişme, depolama yoğunluğunu ve hızını önemli ölçüde artırarak hem veri merkezi hem de tüketici SSD'lerinde daha yüksek kapasite ve verimlilik vaat ediyor. Teknoloji ilerledikçe depolama maliyetlerinin düşmesi ve yapay zeka gibi veri yoğun uygulamaların daha verimli çalışması bekleniyor.
Pulse AIBu habere soru sor
Yanıtlar haberin özetinden yapay zekâ ile üretilir; yatırım, sağlık veya hukuk tavsiyesi değildir.
